资料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压添加时，空间电荷区中的电场跟着增强。这样经过空间电荷区的和空穴，就会在电场效果下，使取得的能量增大。在晶体中运转的电子和空穴将不断的与晶体原子发生磕碰，经过这样的磕碰可使捆绑在共价键中的价电子磕碰出来，发生自在电子-空穴对。

  新发生的载流子在电场效果下撞出其他价电子，又发生新的自在电子和空穴对。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地添加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种磕碰电离导致击穿称为**雪崩击穿，**也称为电子雪崩现象。

  功率器材并不是触发雪崩就会损坏的，而是对雪崩能量有必定的承当接受的才能，称之为雪崩耐量，一般从以下两个特性来考量某个功率器材接受的雪崩耐量的强弱，分别是：

  图1给出了单脉冲雪崩测验的原理图，对待测器材的Gate施加敞开信号，器材导通，电感L开端储能，当电感储能抵达必定值今后，封闭Gate，此刻电感能量只可以经过雪崩电流来泄放。

  图2给出了单侧雪崩测验几个要害结点的示波器波形图，可以正常的看到当器材Gate电压Vgs从高变低后，器材漏端电压瞬时升高到雪崩击穿电压，直到电感能量在数微秒时间内泄放结束。

  在实践测验中，通常会固定L和VIN，经过不断增大脉宽宽度TPulse，测得器材不损坏的最大雪崩耐量即为所测器材的EAS值。

  图3给出了重复雪崩测验的原理图，对待测器材的Gate施加周期性开关信号，经过器材重复开关，周期性对电感储能，并经过器材雪崩开释能量。关于重复雪崩，每次发生雪崩的能量要比EAS小许多，但重复累加的能量会比单脉冲雪崩多许多，所以芯片结温文管壳温度都会升高，当芯片结温抵达Tjmax时，即为所测器材的EAR最大值。

  当一个电子从放电极(阴极)向收尘极(阳极)运动时，若电场强度足够大，则电子被加快，在运动的途径上磕碰气体原子会发生磕碰电离。和气体原子．第一次磕碰引起电离后，就多了一个自在电子。这两个自在电子向收尘极运动时，又与气体原子磕碰使之电离，每一原子又多发生一个自在电子，所以第2次磕碰后，就变成四个自在电子，这四个电子又与气体原子磕碰使之电离，发生更多的自在电子。所以一个电子从放电极到收尘极，因为磕碰电离，电子数将雪崩似地添加，此现状称为电子雪崩。因为电子雪崩现象使电子数按等比级数继续不断的添加，其添加状况如图《电子雪崩进程示意图》所示

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